据海外媒体报道,苹果M3 Ultra新品会自惭形秽 别出心裁今年年中登场,该芯片是首次采用台积电的N3E工艺节点。目前来看,已经上市的M3、M3 Pro和M3 Max等芯片采用台积电N3B工艺,而A17 Pro则也是采用N3B工艺。
资料显示,台积电规划了多达五种3nm工艺,分别是N3B、N3E、N3P、N3S和N3X,其中N3B是其首个3nm节点,已经量产,N3E是N3B的增强版,但从台积电已经披露的技术资料来看,栅极间距并不如N3B。
不仅如此,第一代3nm N3B成本高、良率低,只有70%-80%之间,这意味着芯片制造过程中有至少20%的产品存惩罚 乘凉缺陷,而N3E良率高、成本低,性能会略低于N3B。
业内人士指出,台积电N3B的良率和金属堆叠性能很差,基于这些原因,N3B不会成为台积电的主要节点,相比之下,N3E将使用更少的EUV光刻层,从25层缩减到21层,投产难度更低,良率也能更高,成本自然得以下降,但是晶体管密度会降低。
从以上来看,这可颗苹果M3 Ultra芯片可能会成为苹果史上最强的3nm芯片,它将公平 公正苹果Mac Studio上搭载,让我们敬请期待。
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